## 內存條容量與顆粒容量的關系 　　首先說一下顆粒 　　簡單的講，顆粒就是內存條上的幾片較大集成塊，顆粒數據是每片集成塊的數據，與內存容量是一個倍數關系。 　　容量單位：Mb,MB，注意字母B的大小寫。 　　8Mb=1MB 　　電腦以及人們常說的256兆，512兆，是指256MB，512MB。 　　三星內存顆粒： 　　512Mb 128M\*4 　　512Mb 64Mb\*8 　　512Mb 32M\*16 　　等等，都是顆粒資料，而非內存條的實際容量。 　　內存條容量=顆粒容量*顆粒數量 　　顆粒容量：即顆粒數據提供的容量， 　　顆粒數量：即內存條較大集成塊的數量，也就是有幾片，數量就是幾。 　　比如: 　　根據網友提供的資料： 　　力積電子的顆粒： 　　512Mb 32M\*16 　　直接使用Mb為單位計算： 　　顆粒容量=512Mb(32M\*16), 　　顆粒數量=2, 　　內存條容量=顆粒容量\*顆粒數量 　　=512Mb\*2=1024Mb=128MB(注意單位中字母B的大小寫，1024MB/8=128MB) 　　即128兆。 　　或者這樣算:使用MB為單位計算： 　　512Mb/8=64MB, 　　顆粒容量=64MB, 　　顆粒數量=2, 　　內存條容量=顆粒容量\*顆粒數量 　　=64MB\*2=128MB。 　　可見廠方標的是正確的。 　　隨便提一句，混淆視聽的公司還是有的。比如電信營運商說2兆(2M)的寬帶，用戶一般認為2兆(2M)是2MB，可電信營運商說2兆實際是2Mb,也就是256KB,2Mb/8=0.25MB=256KB. # DRAM 內存介紹 SDRAM(Synchronous dynamic random access memory)，同步動態隨機訪問內存，通常包括 SDR (Single Data Rate) SDRAMs以及DDR (Double Data Rate) SDRAMs.在顯卡中常用的是GDDR SDRAMs以及HBM。 ??????? 如圖一所示，左邊就是PC系統中常用的內存條，該內存條是雙通道2G內存(dual inline Memory Module),通常簡稱為DIMM。我們可以看到內存條上黑色的128MB內存芯片，這些內存芯片簡稱為IC。該內存條是雙面內存，就是說正反兩面都有8個IC，總共16個IC，16*128M=2GB。DIMM的單面稱作rank，比如下圖的2GB內存條，它就是由rank1，rank2兩個單面組成，每個面有8個IC。 *圖一，DRAM的組成* ???? 每個IC內部通常由8個bank組成(DDR3通常為8個bank，GDDR5通常有16個bank)，這些bank共享一個memory I/O controller, 但是在每個bank內部的讀寫可以并行進行。 ???? 每個bank內部包括行地址解碼器，列地址解碼器，傳感放大器，以及DRAM內存陣列。如圖2所示，這些內存陣列由行列組成，每個行列交叉的單元，表示n bit，通常是8bit或者16位【每一位都是由一個晶體管和一個電容組成,在GDDR5和HBM內存中，通常為32Byte】，表示一個字節或者一個word。bank中的每一行組成一個page，每一行又包括很多列(這兒列是指單個交叉單元)。內存讀寫的最小單位就是這些交叉單元，通常只有這些單元被放入傳感放大器的時候，才能夠被讀寫，所以通常要不斷在行和傳感放大器之間移動數據。 ??? 把一行放入傳感放大器稱作"activate”，因為這個操作會激活bank。把傳感放大器的內容放入行，稱作“precharge”。有時候Read或者write的時候會隱含著 precharge的操作，稱作AP-read,或者AP-write,AP(auto precharge)。 圖二 bank內部結構 >[danger]在圖一中每個bank由16k(16384bit)的page組成，每個page包括1k的列，每列是8bit的byte，所以總共16384 rows/bank x 1,024 columns addresses/row x 1 byte/column address x 8stacked banks=128M 對于DDR3，我們通常說它是8n-prefetch(這兒n是指每個rank的bank數目)，因為DDR3，每個IC有8個bank，每個bank讀取數據的最小單位是8bit，一個byte。每次數據讀取request，都會讀取8\*8bit=64bitdata，而不管這些數據是否都是我們所需要的，比如我們只需要其中的某個byte，但讀request會讀取8個byte。 ???? 如果圖三所示， SDRAM讀寫通常能用一個簡單的狀態機來描述，它的狀態包括idle, active, precharging一個或多個bank。和任何其它狀態機一樣，從一個狀態轉換到另一個狀態，并在新的狀態開始數據操作，都需要一些最小等待時間，這些時延會影響SDRAM讀寫數據的性能，從而影響整個計算機系統的性能。 SDARM bank中的內存單元行列交叉(通常稱作cell? )點，用來存儲數據，它通常都是一些電容和放大器組成，由于電容的特性，它的電量會隨著時間衰減，比如溫度等因素都會影響它的衰減速度，所以需要周期性進行加電刷新操作，維持其中的數據。刷新頻率通常依賴于內存die的工藝以及cell本身的設計。對內存cell的讀寫和內存刷新有相同的效果，但是在電容電量衰減到必須刷新之前，并不是所有的內存cell都有讀寫操作，所以定時刷新仍是需要的。通常刷新操作是按行或者說page進行的，刷新之后，該行cell的電容就會被充電。通常的刷新操作周期是幾百clocks到幾千clocks。 ???? 在刷新命令之前，每個bank必須要先precharged，然后處于idle狀態，這需要消耗一個tRP時延(The minimum number of clock cycles required between the issuing of the precharge command and activating a different row within the same bank)。在一個刷新命令完成后，所有的bank處于precharge (idle)狀態，在刷新命令和下一個activate命令(ACT)之間cycles數目必須大于等于tRFC(the Row Refresh Cycle Time )。 圖三，? SDRAM數據傳輸狀態機 由于數據傳輸時候，都有一定的時延，所以有下面的一些符號描述bank內數據傳輸的各個階段時延。 | 參數 | 符號 | 注釋 | | --- | --- | --- | | Row Active Time | TRAS | The minimum number of clock cycles required between a bank active command and issuing the precharge command. | | Row Address to Column Address Delay | TRCD | The minimum number of clock cycles required between the activation of a row and accessing columns within it. | | CAS latency | CL | The time between sending a column address to the memory and the beginning of the data in response. This is the time it takes to read the first bit of memory from a DRAM with the correct row already open. | | Row Precharge Time | TRP | The minimum number of clock cycles required between the issuing of the precharge command and activating a different row within the same bank. | | Activate to Activate in same bank. | TRC | The minimum number of clock cycles required between the activation of a row activting another row in the same bank. | | Burst | | The number of data beats in a column access. This is usually 8 for recent DDR3/GDDR5 devices. | SDRAM在響應讀寫命令之前，bank必須處于激活狀態，內存控制器通過發送activate命令，指定被訪問的rank，bank以及page(row)。激活一個bank的時間稱作tRCD,the Row-Column (or Command) Delay ,它表示激活發送active命令，program控制邏輯以及把內存行列單元讀取到傳感放大器中以便讀寫的cycles數目。 ???? bank激活之后，傳感放大器中有完整page內容，這個時候，可以發射讀寫命令，指定從某列開始讀寫數據。從某個激活的page(放在傳感放大器中)中讀取一個byte數據消耗的時間稱作， the Column Address Strobe (CAS) Latency ,通常間歇位CL 或者tCAS, 它包括在讀寫接口發送讀寫命令，program控制邏輯，把傳感放大器的內容傳輸入到輸入輸出緩沖，并把數據的第一個word放在內存總線上總共消耗的時間。 ???? 一個bank每次只能打開一個page(這兒打開是指把page內容放入到傳感放大器)，對于處于打開狀態的page，我們可以進行讀寫操作，如果不需要再對該page進行讀寫操作，可以關閉該page, 把該page內容寫入bank的行列單元對應的page中，以便對其它page進行讀寫操作。這個關閉操作通過發射一個Precharge命令實現，precharge命令可以關閉某一個bank，也可以關閉rank中所有打開的bank。 ??? Precharge命令可以和bank中的上一個讀寫操作進行綁定，從而進行一個組合操作，這時發送一個Read with Auto-Precharge (RDA) 或 Write with Auto-Precharge (WRA)代替單獨的讀寫操作命令。只要滿足一定的條件，這將允許SDRAM控制邏輯自動的打開或者關閉bank。需要滿足的條件包括：(1) A minimum of RAS Activation Time (tRAS) has elapsed since the ACT command was issued, and (2) a minimum of Read to Precharge Delay (tRTP) has elapse since the most recent READ command was issued。 ??? precharge命令把傳感放大器中的數據寫入bank中對應的page中，然后DRAM core能夠準備下一個數據訪問。 precharge一個打開的bank所消耗的時間稱作the Row Access Strobe (RAS) Precharge Delay ，通過寫作tRP。同一個bank兩個activate命令之間所消耗的時間稱作tRC，它等于tRAS+tRP。不同bank的ACT命令間隔時間稱作the Read-to-Read Delay (tRRD)。 下面的時序圖標出了各個階段時延：  [https://blog.csdn.net/qq\_39759656/article/details/81672895](https://blog.csdn.net/qq_39759656/article/details/81672895)