跳層，插buffer的解決方法也可以解決# Violation問題 **Antenna Effect概念** 在芯片生產過程中，暴露的金屬線或者多晶硅（polysilicon）等導體，就像是一根根天線，會收集電荷（如等離子刻蝕產生的帶電粒子）導致電位升高。天線越長，收集的電荷也就越多，電壓就越高。若這片導體碰巧只接了MOS 的柵，那么高電壓就可能把薄柵氧化層擊穿，使電路失效，這種現象我們稱之為“天線效應”。  **Antenna Ratio** 通常情況下，我們用“天線比率”（“antenna ratio”）來衡量一顆芯片能發生天線效應的幾率。“天線比率”的定義是：構成所謂“天線”的導體（一般是金屬）的**面積與所相連的柵氧化層面積的比率**。  隨著工藝技術的發展，柵的尺寸越來越小，金屬的層數越來越多，發生天線效應的可能性就越大。 那么，我們在數字IC后端實現過程中應該如何來修復這類Violation呢？ Innovus有兩種場景需要添加antenna diode。 1）天線效應violation 添加保護二極管，加上反偏二極管