## WPE WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以參見下圖: 集成電路制造過程中， 在對阱作離子注入時，注入的離子與阱區周圍的光刻膠發生濺射而富集在阱的邊緣， 因而在水平方向呈現摻雜濃度的非均一性。這會導致阱區中的 MOS 管的閾值或其他電學特性會隨著晶體管與阱邊緣的距離而發生變化， 這一特性就稱為 well proximity effect.  ## LOD LOD ( Length Of Diffusion) Effect， 也稱為? STI stress effect，顧名思義，就是在有源區外的 STI 隔離會對其帶來應力作用（如下圖中所示），從而影響晶體管的遷移率和閾值電壓，因而導致不同的有源區的長度（SA+L+SB）的 MOSFET 的電學特性存在差異。