閾值電壓通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數。如描述場發射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。 如MOS管，當器件由耗盡向反型轉變時，要經歷一個 Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態。此時器 件處于臨界導通狀態，器件的柵電壓定義為閾值電壓，它是MOSFET的重要參數之一。 MOS管的閾值電壓等于背柵（backgate）和源極（source）接在一起時形成溝道（channel）需要的柵極（gate）對source偏置電壓。如果柵極對源極偏置電壓小于閾值電壓，就沒有溝道。 擴展資料 偏置電壓指晶體管放大電路中使晶體管處于放大狀態時，基極-射極之間，集電極-基極之間應該設置的電壓。因為要使晶體管處于放大狀態，其基極-射極之間的pn結應該正偏，集電極-基極之間的pn應該反偏、 因此，設置晶體管基射結正偏，集基結反偏，使晶體管工作在放大狀態的電路，簡稱為偏置電路。直流偏置電壓是指晶體管放大電路中使晶體管處于放大狀態時，基極-射極之間及集電極-基極之間應該設置的電壓。